Wafers Epitaxial 4H-SiC airson MOSFETan Ultra-Àrd-bholtaids (100–500 μm, 6 òirleach)

Tuairisgeul Goirid:

Tha fàs luath charbadan dealain, lìonraidhean snasail, siostaman lùtha ath-nuadhachail, agus uidheam gnìomhachais àrd-chumhachd air feum èiginneach a chruthachadh airson innealan leth-chonnsachaidh comasach air dèiligeadh ri bholtaids nas àirde, dùmhlachdan cumhachd nas àirde, agus èifeachdas nas motha. Am measg leth-chonnsachaidhean le beàrn-bann farsaing,carbaid sileacon (SiC)a’ seasamh a-mach airson a bheàrn-chòmhlain fharsaing, a ghiùlan teirmeach àrd, agus neart achaidh dealain èiginneach nas fheàrr.

Cuir post-d thugainn

Feartan

Diagram Mionaideach

Sealladh farsaing air an toradh

ArUaifearan epitaxial 4H-SiCair an innleachadh gu sònraichte airsontagraidhean MOSFET bholtaids fìor àrdLe sreathan epitaxial a’ dol bho100 μm gu 500 μm on Fo-stratan 6-òirleach (150 mm), bidh na wafers seo a’ lìbhrigeadh nan roinnean drift leudaichte a tha a dhìth airson innealan clas-kV agus aig an aon àm a’ cumail suas càileachd criostail agus sùbailteachd air leth. Tha tigheadan àbhaisteach a’ toirt a-steach 100 μm, 200 μm, agus 300 μm, le gnàthachadh ri fhaighinn.

Tiughas an t-Sreath Epitaxial

Tha pàirt chudromach aig an t-sreath epitaxial ann a bhith a’ dearbhadh coileanadh MOSFET, gu sònraichte an cothromachadh eadarbholtaids briseadh sìosagusstrì an aghaidh.

100–200 μmAir a bharrrachadh airson MOSFETan bholtaids mheadhanach gu àrd, a’ tabhann cothromachadh sàr-mhath eadar èifeachdas giùlain agus neart bacadh.
200–500 μmFreagarrach airson innealan bholtaids fìor àrd (10 kV+), a’ comasachadh roinnean drift fada airson feartan briseadh-sìos làidir.

Thar an raon gu lèir,tha smachd air cunbhalachd tighead taobh a-staigh ± 2%, a’ dèanamh cinnteach à cunbhalachd bho wafer gu wafer agus baidse gu baidse. Leigidh an sùbailteachd seo le luchd-dealbhaidh coileanadh innealan a mhìneachadh airson na clasaichean bholtaids targaid aca agus aig an aon àm a’ cumail suas ath-riochdachadh ann an cinneasachadh mòr.

Pròiseas Saothrachaidh

Tha na wafers againn air an dèanamh le bhith a’ cleachdadhepitaxis CVD (Chemical Vapor Deposition) den ìre as àirde, a leigeas le smachd mionaideach a chumail air tighead, dopadh, agus càileachd criostalach, eadhon airson sreathan glè thiugh.

Epitaxy CVD– Bidh gasaichean àrd-ghlanachd agus suidheachaidhean leasaichte a’ dèanamh cinnteach à uachdaran rèidh agus dùmhlachd lochdan ìosal.
Fàs Sreath Tiugh– Leigidh reasabaidhean pròiseas seilbhe le tiughas epitaxial suas ri500 μmle aonachd sàr-mhath.
Smachd Dòpaidh– Dùmhlachd atharrachail eadar1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, le cunbhalachd nas fheàrr na ±5%.
Ullachadh Uachdar– Bidh uaiflean a’ dol trosnasadh CMPagus sgrùdadh teann, a’ dèanamh cinnteach gu bheil e co-chòrdalach ri pròiseasan adhartach leithid ocsaidachadh geata, fotolithografaidh, agus meatailteachadh.

Prìomh Bhuannachdan

Comas bholtaids fìor àrd– Tha sreathan epitaxial tiugh (100–500 μm) a’ toirt taic do dhealbhaidhean MOSFET clas kV.
Càileachd criostail air leth– Bidh dùmhlachd ìosal de dh’ easbhaidhean dì-àiteachaidh agus plèana bunaiteach a’ dèanamh cinnteach à earbsachd agus a’ lughdachadh aodion.
Fo-stratan Mòra 6-Òirleach– Taic airson cinneasachadh mòr-thomach, cosgais nas ìsle gach inneal, agus co-chòrdalachd le saothraichean.
Togalaichean Teirmeach Àrd-inbhe– Leigidh seoltachd teirmeach àrd agus beàrn-bann farsaing le obrachadh èifeachdach aig cumhachd agus teòthachd àrd.
Paramadairean Gnàthaichte– Faodar tiughas, dopadh, treòrachadh agus crìochnachadh uachdar a dhealbhadh a rèir riatanasan sònraichte.

Sònrachaidhean àbhaisteach

Paramadair	Sònrachadh
Seòrsa Seoltachd	Seòrsa-N (air a dhopadh le naitridean)
Frith-sheasmhachd	Gin sam bith
Ceàrn far-aise	4° ± 0.5° (a dh’ionnsaigh [11-20])
Treòrachadh Criostail	(0001) Aghaidh-si
Tiughas	200–300 μm (gnàthaichte 100–500 μm)
Crìochnachadh Uachdar	Aghaidh: CMP snasta (deiseil airson epi) Cùl: air a lapadh no air a snasadh
TTV	≤ 10 μm
Bogha/Lùb	≤ 20 μm

Raointean Iarrtais

Tha uaifearan epitaxial 4H-SiC freagarrach airsonMOSFETan ann an siostaman bholtaids fìor àrd, a’ gabhail a-steach:

Inverters tarraing charbadan dealain & modalan cosgais àrd-bholtaids
Uidheam tar-chuir is cuairteachaidh griod snasail
Innealan-tionndaidh lùth ath-nuadhachail (grèine, gaoithe, stòradh)
Solarachaidhean gnìomhachais àrd-chumhachd & siostaman suidse

Ceistean Cumanta

C1: Dè an seòrsa giùlain a th’ ann?
A1: Seòrsa-N, air a dhopadh le naitridean — an inbhe gnìomhachais airson MOSFETan agus innealan cumhachd eile.

C2: Dè na tigheadan epitaxial a tha rim faighinn?
A2: 100–500 μm, le roghainnean àbhaisteach aig 100 μm, 200 μm, agus 300 μm. Tha tiughasan gnàthaichte rim faighinn air iarrtas.

C3: Dè an treòrachadh a th’ aig an uaif agus dè an ceàrn far-axis?
A3: (0001) Aghaidh-si, le 4° ± 0.5° far an ais a dh’ionnsaigh an stiùiridh [11-20].

Mu ar deidhinn

Tha XKH gu sònraichte a’ dèiligeadh ri leasachadh, cinneasachadh agus reic àrd-theicneòlais glainne optaigeach sònraichte agus stuthan criostail ùra. Bidh na toraidhean againn a’ frithealadh electronics optaigeach, electronics luchd-cleachdaidh, agus an armachd. Bidh sinn a’ tabhann co-phàirtean optaigeach Sapphire, còmhdaichean lionsa fònaichean-làimhe, Ceirmeag, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, agus wafers criostail leth-chonnsachaidh. Le eòlas sgileil agus uidheamachd ùr-nodha, tha sinn air leth math ann an giullachd thoraidhean neo-àbhaisteach, ag amas air a bhith nar prìomh iomairt àrd-theicneòlais stuthan optoelectronic.