An coimeas ri innealan silicon carbide, bidh barrachd bhuannachdan aig innealan cumhachd gallium nitride ann an suidheachaidhean far a bheil feum air èifeachdas, tricead, tomhas-lìonaidh agus taobhan coileanta eile aig an aon àm, leithid innealan stèidhichte air gallium nitride air an cur an sàs gu soirbheachail ann an raon cosgais luath air. sgèile mhòr. Nuair a thòisich tagraidhean ùra sìos an abhainn, agus adhartas leantainneach ann an teicneòlas ullachaidh substrate gallium nitride, thathas an dùil gun lean innealan GaN a’ dol am meud, agus bidh iad gu bhith mar aon de na prìomh theicneòlasan airson lughdachadh cosgais agus èifeachdas, leasachadh uaine seasmhach.
Aig an àm seo, tha an treas ginealach de stuthan semiconductor air a thighinn gu bhith na phàirt chudromach de ghnìomhachasan ro-innleachdail a tha a ’tighinn am bàrr, agus tha e cuideachd a’ tighinn gu bhith na phrìomh àite ro-innleachdail airson grèim fhaighinn air an ath ghinealach de theicneòlas fiosrachaidh, glèidhteachas lùth agus lughdachadh sgaoilidhean agus teicneòlas tèarainteachd dìon nàiseanta. Nam measg, is e gallium nitride (GaN) aon de na stuthan semiconductor treas ginealach as riochdaiche mar stuth bann-leathann semiconductor le bann-leathann de 3.4eV.
Air 3 Iuchar, rinn Sìona teannachadh air às-mhalairt stuthan co-cheangailte ri gallium agus germanium, a tha na atharrachadh poileasaidh cudromach stèidhichte air feart cudromach gallium, meatailt tearc, mar “gràn ùr a’ ghnìomhachas semiconductor, ”agus na buannachdan tagraidh farsaing aige ann an stuthan semiconductor, lùth ùr agus raointean eile. Mar thoradh air an atharrachadh poileasaidh seo, nì am pàipear seo deasbad agus mion-sgrùdadh air gallium nitride bho thaobhan de theicneòlas ullachaidh agus dhùbhlain, puingean fàis ùra san àm ri teachd, agus pàtran farpais.
Ro-ràdh goirid:
Tha Gallium nitride na sheòrsa de stuth semiconductor synthetigeach, a tha na riochdaire àbhaisteach den treas ginealach de stuthan semiconductor. An coimeas ri stuthan traidiseanta sileaconach, tha buannachdan aig galium nitride (GaN) bho bheàrn-còmhlain mòr, raon dealain briseadh làidir, dìon ìosal, gluasad àrd dealanach, èifeachdas tionndaidh àrd, giùlan teirmeach àrd agus call ìosal.
Is e ginealach ùr de stuthan semiconductor a th ’ann an Gallium nitride le coileanadh sàr-mhath, a dh’ fhaodar a chleachdadh gu farsaing ann an conaltradh, radar, electronics luchd-cleachdaidh, electronics chàraichean, lùth cumhachd, giollachd leusair gnìomhachais, ionnsramaid agus raointean eile, agus mar sin tha an leasachadh agus an cinneasachadh mòr. fòcas aire dhùthchannan agus ghnìomhachasan air feadh an t-saoghail.
Cleachdadh GaN
Stèisean bunaiteach conaltraidh 1--5G
Is e bun-structar conaltraidh gun uèir am prìomh raon tagraidh de dh ’innealan RF gallium nitride, a’ dèanamh suas 50%.
2 - Solar cumhachd àrd
Tha comas mòr aig an fheart “àirde dùbailte” de GaN ann an innealan dealanach luchd-cleachdaidh àrd-choileanadh, a choinnicheas ri riatanasan cosgais luath agus suidheachaidhean dìon cosgais.
3-- Carbad lùtha ùr
Bho thaobh tagraidh practaigeach, is e innealan carbide silicon sa mhòr-chuid na h-innealan semiconductor treas-ghinealach gnàthach air a ’chàr, ach tha stuthan gallium nitride iomchaidh ann a dh’ fhaodas a dhol seachad air teisteanas riaghlaidh càr de mhodalan inneal cumhachd, no dòighean pacaidh iomchaidh eile. fhathast air gabhail ris leis a’ phlannt gu lèir agus luchd-saothrachaidh OEM.
4 - Ionad dàta
Tha semiconductors cumhachd GaN air an cleachdadh sa mhòr-chuid ann an aonadan solarachaidh cumhachd PSU ann an ionadan dàta.
Ann an geàrr-chunntas, nuair a thòisich tagraidhean ùra sìos an abhainn agus adhartas leantainneach ann an teicneòlas ullachaidh substrate gallium nitride, thathas an dùil gun lean innealan GaN a’ dol am meud, agus bidh iad gu bhith mar aon de na prìomh theicneòlasan airson lughdachadh cosgais agus èifeachdas agus leasachadh uaine seasmhach.
Ùine puist: Iuchar-27-2023