Wafers SiC 2 òirleach 6H no 4H Semi-insulating SiC Substrates Dia50.8mm

Faodar substrate silicon carbide a roinn ann an seòrsa giùlain agus seòrsa leth-insulation a rèir resistivity. Bidh innealan carbide giùlain silicon air an cleachdadh sa mhòr-chuid ann an carbadan dealain, gineadh cumhachd photovoltaic, gluasad rèile, ionadan dàta, cosgais agus bun-structar eile. Tha iarrtas mòr air gnìomhachas nan carbadan dealain airson fo-stratan carbide sileaconach giùlain, agus an-dràsta, tha Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng agus companaidhean carbaid lùtha ùra eile air planadh innealan no modalan air leth silicon carbide a chleachdadh.

Tha innealan carbide silicon leth-inslithe air an cleachdadh sa mhòr-chuid ann an conaltradh 5G, conaltradh carbaid, tagraidhean dìon nàiseanta, sgaoileadh dàta, aerospace agus raointean eile. Le bhith a’ fàs an còmhdach epitaxial gallium nitride air an substrate carbide silicon leth-inslithe, faodar an wafer epitaxial gallium nitride stèidhichte air silicon a dhèanamh a-steach do innealan RF microwave, a thathas a’ cleachdadh sa mhòr-chuid ann an raon RF, leithid amplifiers cumhachd ann an conaltradh 5G agus lorgairean rèidio ann an dìon nàiseanta.

Tha saothrachadh stuthan substrate silicon carbide a’ toirt a-steach leasachadh uidheamachd, synthesis stuthan amh, fàs criostal, gearradh criostal, giollachd wafer, glanadh agus deuchainn, agus mòran cheanglaichean eile. A thaobh stuthan amh, tha gnìomhachas Songshan Boron a’ toirt seachad stuthan amh silicon carbide airson a’ mhargaidh, agus tha iad air reic baidse beag a choileanadh. Tha prìomh àite aig na stuthan semiconductor treas ginealach a tha air an riochdachadh le silicon carbide ann an gnìomhachas an latha an-diugh, le luathachadh dol a-steach do charbadan lùtha ùra agus tagraidhean photovoltaic, tha an t-iarrtas airson substrate carbide silicon gu bhith a’ toirt a-steach puing inflection.