Tiughas Fo-strat Co-dhèanta LN-air-Si 6 òirleach-8 òirleach 0.3-50 μm Si/SiC/Sapphire de Stuthan

Tuairisgeul Goirid:

’S e stuth àrd-choileanaidh a th’ anns an t-substrate co-dhèanta LN-air-Si 6-òirleach gu 8-òirleach a bhios ag amalachadh fhilmichean tana lithium niobate (LN) aon-chriostail le substratean silicon (Si), le tighead eadar 0.3 μm agus 50 μm. Tha e air a dhealbhadh airson saothrachadh innealan leth-chonnsachaidh agus optoelectronic adhartach. Le bhith a’ cleachdadh dhòighean ceangail no fàs epitaxial adhartach, tha an t-substrate seo a’ dèanamh cinnteach à càileachd criostalach àrd den fhilm tana LN agus aig an aon àm a’ cleachdadh meud mòr wafer (6-òirleach gu 8-òirleach) an t-substrate silicon gus èifeachdas cinneasachaidh agus èifeachdas cosgais a leasachadh.
An coimeas ri stuthan LN mòr-chuid àbhaisteach, tha an t-substrate co-dhèanta LN-air-Si 6-òirleach gu 8-òirleach a’ tabhann maidseadh teirmeach agus seasmhachd meacanaigeach nas fheàrr, ga dhèanamh freagarrach airson giullachd ìre wafer air sgèile mhòr. A bharrachd air an sin, faodar stuthan bunaiteach eile leithid SiC no sapphire a thaghadh gus coinneachadh ri riatanasan tagraidh sònraichte, a’ gabhail a-steach innealan RF àrd-tricead, fotonics amalaichte, agus mothachairean MEMS.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh Toraidh

Tagaichean Bathar

Paramadairean teicnigeach

0.3-50μm LN/LT air Insuladairean
An ìre as àirde
Trast-thomhas	6-8 òirlich
Treòrachadh	X, Z, Y-42 msaa.
Stuthan	LT, LN
Tiughas	0.3-50μm
Fo-strat (gnàthaichte)
Stuth	Si, SiC, Safair, Spineal, Grian-chloiche

Prìomh fheartan

Tha an t-substrate co-dhèanta LN-on-Si 6-òirleach gu 8-òirleach air a chomharrachadh leis na feartan stuthan sònraichte aige agus na paramadairean atharrachail, a’ comasachadh cleachdadh farsaing ann an gnìomhachasan leth-chonnsachaidh agus optoelectronic:

1. Co-chòrdalachd Wafer Mòr: Tha meud na wafer 6-òirleach gu 8-òirleach a’ dèanamh cinnteach à amalachadh gun fhiosta le loidhnichean saothrachaidh leth-chonnsachaidh a th’ ann mar-thà (me, pròiseasan CMOS), a’ lughdachadh chosgaisean cinneasachaidh agus a’ comasachadh cinneasachadh mòr.

2. Càileachd Chriostalach Àrd: Bidh dòighean epitaxial no ceangail leasaichte a’ dèanamh cinnteach gu bheil dùmhlachd locht ìosal anns an fhilm tana LN, ga dhèanamh freagarrach airson moduladairean optigeach àrd-choileanaidh, sìoltachain tonn fuaimneach uachdar (SAW), agus innealan mionaideach eile.

3. Tiughas Atharrachail (0.3–50 μm): Tha sreathan LN tana gu math (<1 μm) freagarrach airson sgoltagan fotonach amalaichte, agus tha sreathan nas tiugh (10–50 μm) a’ toirt taic do innealan RF àrd-chumhachd no mothachairean piezoelectric.

4. Iomadh Roghainn Fo-strat: A bharrachd air Si, faodar SiC (seòltachd teirmeach àrd) no sapphire (insulation àrd) a thaghadh mar stuthan bunaiteach gus coinneachadh ri iarrtasan thagraidhean àrd-tricead, àrd-theodhachd no àrd-chumhachd.

5. Seasmhachd Teirmeach is Meacanaigeach: Tha an t-substrate silicon a’ toirt seachad taic làidir meacanaigeach, a’ lughdachadh lùbadh no sgàineadh rè giollachd agus a’ leasachadh toradh an inneil.

Tha na feartan seo a’ suidheachadh an t-substrate co-dhèanta LN-on-Si 6-òirleach gu 8-òirleach mar stuth as fheàrr airson teicneòlasan ùr-nodha leithid conaltradh 5G, LiDAR, agus optaigs cuantamach.

Prìomh Thagraidhean

Tha an t-substrate co-dhèanta LN-on-Si 6-òirleach gu 8-òirleach air a ghabhail os làimh gu farsaing ann an gnìomhachasan àrd-theicneòlais air sgàth a fheartan electro-optigeach, piezoelectric agus fuaimneach sònraichte:

1. Conaltradh Optaigeach agus Fotonaigs Amalaichte: A’ comasachadh moduladairean electro-optaigeach àrd-astar, treòraichean tonn, agus cuairtean amalaichte fotonaigeach (PICn), a’ dèiligeadh ri iarrtasan leud-bann ionadan dàta agus lìonraidhean snàithleach-optaigeach.

Innealan RF 2.5G/6G: Tha an co-èifeachd piezoelectric àrd aig LN ga dhèanamh freagarrach airson sìoltachain tonn fuaimneach uachdar (SAW) agus tonn fuaimneach mòr-chuid (BAW), a’ neartachadh giollachd chomharran ann an stèiseanan bunaiteach 5G agus innealan gluasadach.

3. MEMS agus Braitearan: Tha buaidh piezoelectric LN-on-Si a’ comasachadh luathaichear-mheatairean àrd-mhothachail, biosensors, agus transducers ultrasonic airson tagraidhean meidigeach agus gnìomhachais.

4. Teicneòlasan Cuantum: Mar stuth optaigeach neo-loidhneach, thathas a’ cleachdadh filmichean tana LN ann an stòran solais cuantum (me, paidhrichean foton ceangailte) agus sgoltagan cuantum amalaichte.

5. Lasairean agus Optaig Neo-loidhneach: Bidh sreathan LN tana a’ comasachadh innealan èifeachdach airson an dàrna ginealach harmonic (SHG) agus crith paraimeadrach optigeach (OPO) airson giullachd laser agus mion-sgrùdadh speactroscopach.

Leigidh an t-substrate co-dhèanta LN-air-Si àbhaisteach 6-òirleach gu 8-òirleach leis na h-innealan sin a bhith air an dèanamh ann an factaraidhean wafer air sgèile mhòr, a’ lughdachadh chosgaisean cinneasachaidh gu mòr.

Gnàthachadh agus Seirbheisean

Bidh sinn a’ toirt seachad taic theicnigeach coileanta agus seirbheisean gnàthachaidh airson an t-substrate co-dhèanta LN-on-Si 6-òirleach gu 8-òirleach gus coinneachadh ri feumalachdan R&D agus cinneasachaidh eadar-mheasgte:

1. Dèanamh Gnàthaichte: Faodar tiugh film LN (0.3–50 μm), treòrachadh criostail (gearradh-X/gearradh-Y), agus stuth an t-substrate (Si/SiC/sapphire) a dhealbhadh gus coileanadh an inneil a bharrachadh.

2. Giullachd aig Ìre nan Uaifearan: Solar mòr-chuid de uaifearan 6-òirleach agus 8-òirleach, a’ gabhail a-steach seirbheisean cùl-taic leithid dìsnean, snasadh agus còmhdach, a’ dèanamh cinnteach gu bheil na bun-stuthan deiseil airson amalachadh innealan.

3. Co-chomhairle agus Deuchainn Theicnigeach: Comharrachadh stuthan (me, XRD, AFM), deuchainn coileanaidh electro-optaigeach, agus taic atharrais innealan gus dearbhadh dealbhaidh a luathachadh.

’S e ar misean an t-substrate co-dhèanta LN-air-Si 6-òirleach gu 8-òirleach a stèidheachadh mar fhuasgladh stuth bunaiteach airson tagraidhean optoelectronic agus leth-chonnsachaidh, a’ tabhann taic deireadh-gu-deireadh bho R&D gu cinneasachadh mòr.

Co-dhùnadh

Tha an t-substrate co-dhèanta LN-on-Si 6-òirleach gu 8-òirleach, leis a’ mheud mhòr de dh’ uaifearan, càileachd stuthan nas fheàrr, agus iomadachd, a’ stiùireadh adhartasan ann an conaltradh optigeach, 5G RF, agus teicneòlasan cuantamach. Co-dhiù a tha e airson saothrachadh mòr no fuasglaidhean gnàthaichte, bidh sinn a’ lìbhrigeadh substrates earbsach agus seirbheisean co-phàirteach gus ùr-ghnàthachadh teicneòlach a chumhachdachadh.