Slat-togail sapphire gnìomhachais agus prìne, prìne sapphire Al2O3 cruas àrd airson làimhseachadh wafer, siostam Radar agus giullachd leth-chonnsair - Trast-thomhas 1.6mm gu 2mm
Abradh
Tha an Sapphire Lift Rod and Pin Industrial air an dealbhadh le mionaideachd agus seasmhachd airson tagraidhean àrd-iarrtas leithid làimhseachadh wafer, siostaman radar, agus giollachd leth-chonnsair. Air an dèanamh le criostal singilte Al2O3 (sapphire), tha na prìneachan sin a’ tabhann cruas air leth agus neart teirmeach. Ri fhaighinn ann an trast-thomhas bho 1.6mm gu 2mm, tha na slatan togail agus na prìneachan sin gnàthaichte airson riatanasan gnìomhachais sònraichte. Bidh iad a’ toirt seachad sàr-aghaidh sgrìobadh agus caitheamh ìosal, gan dèanamh nam pàirtean riatanach airson siostaman àrd-choileanaidh.
Feartan
● Àrd cruas agus seasmhachd:Le cruas Mohs de 9, tha na prìnichean agus na slatan sin an aghaidh sgrìoban, a’ dèanamh cinnteach à coileanadh maireannach ann an tagraidhean caitheamh àrd.
● Meudan gnàthaichte:Ri fhaighinn ann an trast-thomhas bho 1.6mm gu 2mm, leis an roghainn airson tomhasan àbhaisteach gus coinneachadh ri feumalachdan tagraidh sònraichte.
● Seasmhachd teirmeach:Tha puing leaghaidh àrd Sapphire (2040 ° C) a’ dèanamh cinnteach gun urrainn dha na prìneachan sin seasamh an aghaidh àrainneachdan àrd-teòthachd gun a bhith truailleadh.
● Feartan optigeach sàr-mhath:Tha soilleireachd optigeach gnèitheach Sapphire a’ dèanamh na prìneachan togail sin freagarrach airson an cleachdadh ann an siostaman optigeach agus innealan mionaideach.
● Bruthadh ìosal agus caitheamh:Bidh uachdar rèidh sapphire a’ lughdachadh caitheamh air gach cuid am prìne lioft agus an uidheamachd, a’ lughdachadh cosgaisean cumail suas.
Iarrtasan
● Làimhseachadh Wafer:Air a chleachdadh ann an giullachd semiconductor airson làimhseachadh wafer fìnealta.
●Radar siostaman:prìneachan àrd-choileanaidh air an cleachdadh ann an siostaman radar airson an seasmhachd agus an cruinneas.
● Semiconductor Giullachd:Fìor mhath airson a bhith a’ làimhseachadh wafers agus co-phàirtean eile ann am pròiseasan saothrachaidh semiconductor àrdteicneòlais.
● Siostaman gnìomhachais:Freagarrach airson grunn thagraidhean gnìomhachais a dh ’fheumas seasmhachd àrd agus mionaideachd.
Paramadairean toraidh
| Feart | Sònrachadh |
| Stuth | Criostal singilte Al2O3 (Sapphire) |
| cruas | mhisg 9 |
| Raon Trast-thomhas | 1.6mm gu 2mm |
| Giùlan teirmeach | 27 W·m^-1·K^-1 |
| Rubha leaghaidh | 2040°C |
| Dùmhlachd | 3.97g/cc |
| Iarrtasan | Làimhseachadh Wafer, Siostaman Radar, Giullachd Semiconductor |
| Gnàthachadh | Ri fhaighinn ann am meudan gnàthaichte |
Ceistean Cumanta (Ceistean Bitheanta)
Q1: Carson a tha sapphire na stuth math airson prìneachan togail a thathas a’ cleachdadh ann an làimhseachadh wafer?
A1: Tha Sapphire gu math àrdsgrìob-dhìonachagus tha apuing leaghaidh àrd, ga dhèanamh na stuth sàr-mhath airson gnìomhachd fìnealta leithidlàimhseachadh wafer, far a bheil cruinneas agus seasmhachd cudromach.
Q2: Dè a’ bhuannachd a th ’ann a bhith a’ gnàthachadh meud prìneachan lioft sapphire?
A2: Tha meudan gnàthaichte a’ leigeil leis na prìneachan togail sin a bhith air an dèanamh freagarrach airson iarrtasan sònraichte, a’ dèanamh cinnteach gu bheil an coileanadh as fheàrr ann an grunn shiostaman, a’ gabhail a-steachgiollachd semiconductoragussiostaman radar.
Q3: An urrainnear prìneachan togail sapphire a chleachdadh ann an tagraidhean àrd-teòthachd?
A3: Tha,saphirtha apuing leaghaidh àrdà2040°C, ga dhèanamh air leth freagarrach airson a chleachdadh ann an àrainneachdan àrd-teòthachd.
Diagram mionaideach
