Criostal Tantalate Lithium LT (LiTaO3) 2 òirleach/3 òirleach/4 òirleach/6 òirleach Treòrachadh Y-42°/36°/108° Tiugh 250-500um

Criostal Tantalate Lithium LT (LiTaO3) 2 òirleach/3 òirleach/4 òirleach/6 òirleach Treòrachadh Y-42°/36°/108° Tiughas 250-500um Ìomhaigh Sònraichte

Tuairisgeul Goirid:

Tha wafers LiTaO₃ a’ riochdachadh siostam stuthan piezoelectric agus ferroelectric deatamach, a’ nochdadh co-èifeachdan piezoelectric, seasmhachd teirmeach, agus feartan optigeach air leth, gan dèanamh riatanach airson sìoltachain tonn fuaimneach uachdar (SAW), ath-fhuaimnearan tonn fuaimneach mòr (BAW), moduladairean optigeach, agus lorgairean infridhearg. Tha XKH a’ speisealachadh ann an R&D agus cinneasachadh wafer LiTaO₃ àrd-inbhe, a’ cleachdadh pròiseasan fàs criostail Czochralski (CZ) adhartach agus epitaxy ìre leaghaidh (LPE) gus dèanamh cinnteach à aon-ghnèitheachd criostalach nas fheàrr le dùmhlachdan locht <100/cm².

Bidh XKH a’ toirt seachad wafers LiTaO₃ 3-òirleach, 4-òirleach, agus 6-òirleach le iomadh stiùireadh criostalagrafach (gearradh-X, gearradh-Y, gearradh-Z), a’ toirt taic do làimhseachadh doping gnàthaichte (Mg, Zn) agus poileanachadh gus coinneachadh ri riatanasan tagraidh sònraichte. Tha cunbhalach dielectric an stuth (ε~40-50), co-èifeachd piezoelectric (d₃₃~8-10 pC/N), agus teòthachd Curie (~600°C) a’ stèidheachadh LiTaO₃ mar an t-substrate as fheàrr airson sìoltachain àrd-tricead agus mothachairean mionaideach.

Tha ar saothrachadh amalaichte gu dìreach a’ còmhdach fàs criostail, wafering, snasadh, agus tasgadh film tana, le comas cinneasachaidh mìosail nas àirde na 3,000 wafer gus seirbheis a thoirt do ghnìomhachasan conaltraidh 5G, eileagtronaig luchd-cleachdaidh, fotonics, agus dìon. Bidh sinn a’ toirt seachad co-chomhairleachadh teicnigeach coileanta, comharrachadh shampall, agus seirbheisean prototàipeadh ìosal-tomhas-lìonaidh gus fuasglaidhean LiTaO₃ air an leasachadh a lìbhrigeadh.

Cuir post-d thugainn

Feartan

Paramadairean teicnigeach

Ainm	LiTaO3 ìre-optaigeach	Ìre clàr fuaime LiTaO3
Aiseach	Gearradh Z + / - 0.2 °	Gearradh Y 36° / gearradh Y 42° / gearradh X(+ / - 0.2 °)
Trast-thomhas	76.2mm + / - 0.3mm/100±0.2mm	76.2mm + /-0.3mm100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
Plèana dàta	22mm + / - 2mm	22mm + /-2mm32mm + /-2mm
Tiughas	500um + /-5mm1000um + /-5mm	500um + /-20mm350um + /-20mm
TTV	≤ 10um	≤ 10um
Teòthachd Curie	605 °C + / - 0.7 °C (dòigh DTA)	605 °C + / -3 °C (Dòigh-obrach DTA)
Càileachd uachdar	Snasadh dà-thaobhach	Snasadh dà-thaobhach
Oirean camaichte	cruinneachadh oir	cruinneachadh oir

Prìomh fheartan

1. Structar criostail agus coileanadh dealain

· Seasmhachd Chriostail-eòlach: 100% ceannas polytype 4H-SiC, gun chuibhreann ioma-chriostail sam bith (me, 6H/15R), le lùb crathaidh XRD làn-leud aig leth-uasmhéid (FWHM) ≤32.7 arcsec.
· Gluasadachd Àrd-ghiùlain: Gluasadachd dealanach de 5,400 cm²/V·s (4H-SiC) agus gluasadachd toll de 380 cm²/V·s, a’ comasachadh dealbhadh innealan àrd-tricead.
·Cruas Rèididheachd: A’ seasamh an aghaidh rèididheachd neodron 1 MeV le stairsneach milleadh gluasaid de 1 × 10¹⁵ n/cm², freagarrach airson tagraidhean aerospace agus niùclasach.

2. Togalaichean teirmeach agus meacanaigeach

Seoltachd Teirmeach Sònraichte: 4.9 W/cm·K (4H-SiC), trì uiread nas motha na silicon, a’ toirt taic do obrachadh os cionn 200°C.
· Co-èifeachd Leudachaidh Teirmeach Ìosal: CTE de 4.0 × 10⁻⁶/K (25–1000°C), a’ dèanamh cinnteach à co-chòrdalachd le pacaigeadh stèidhichte air silicon agus a’ lughdachadh cuideam teirmeach.

3. Smachd air Lochdan agus Mionaideachd Giullachd

· Dlùths nam Micrio-phìoban: <0.3 cm⁻² (wafers 8-òirleach), dlùths dì-àiteachaidh <1,000 cm⁻² (air a dhearbhadh tro ghràbhaladh KOH).
· Càileachd Uachdar: air a lìomhadh le CMP gu Ra <0.2 nm, a’ coinneachadh ri riatanasan rèidh ìre litagrafaidh EUV.

Prìomh Thagraidhean

Fearann	Suidheachaidhean Iarrtais	Buannachdan Teicnigeach
Conaltradh Optaigeach	Lasairean 100G/400G, modalan hibrid fotonaig silicon	Bidh fo-stratan sìl InP a’ comasachadh beàrn-chòmhlain dhìreach (1.34 eV) agus heteroepitaxy stèidhichte air Si, a’ lughdachadh call ceangail optigeach.
Carbadan Lùtha Ùra	Innealan-tionndaidh àrd-bholtaids 800V, luchd-cosgais air bòrd (OBC)	Bidh fo-stratan 4H-SiC a’ seasamh an aghaidh >1,200 V, a’ lughdachadh call giùlain le 50% agus meud an t-siostaim le 40%.
Conaltradh 5G	Innealan RF tonn-mìlemeatair (PA/LNA), amplifiers cumhachd stèisean-stèidh	Bidh fo-stratan SiC leth-inslithe (strìochd >10⁵ Ω·cm) a’ comasachadh amalachadh fulangach àrd-tricead (60 GHz+).
Uidheam Gnìomhachais	Braitearan teòthachd àrd, claochladairean gnàthach, sgrùdairean reactar niùclasach	Bidh fo-stratan sìl InSb (beàrn-chòmhlain 0.17 eV) a’ lìbhrigeadh cugallachd magnetach suas ri 300%@10 T.

Uaifearan LiTaO₃ - Prìomh fheartan

1. Coileanadh Piezoelectric nas fheàrr

· Bidh co-èifeachdan piezoelectric àrd (d₃₃~8-10 pC/N, K²~0.5%) a’ comasachadh innealan SAW/BAW àrd-tricead le call cuir a-steach <1.5dB airson sìoltachain RF 5G

· Tha ceangal electromeacanaigeach sàr-mhath a’ toirt taic do dhealbhaidhean sìoltachain leud-bann farsaing (≥5%) airson tagraidhean fo-6GHz agus mmWave

2. Feartan Optaigeach

· Follaiseachd leathan-bann (tar-chur >70% bho 400-5000nm) airson moduladairean electro-optaigeach a’ coileanadh leud-bann >40GHz

· Bidh so-leòntachd optaigeach neo-loidhneach làidir (χ⁽²⁾~30pm/V) a’ comasachadh ginealach èifeachdach den dàrna co-sheirm (SHG) ann an siostaman leusair

3. Seasmhachd Àrainneachdail

Bidh teòthachd àrd Curie (600°C) a’ cumail suas freagairt piezoelectric ann an àrainneachdan ìre chàraichean (-40°C gu 150°C).

· Tha neo-sheasmhachd cheimigeach an aghaidh searbhagan/alcalan (pH1-13) a’ dèanamh cinnteach à earbsachd ann an tagraidhean mothachaidh gnìomhachais

4. Comasan Gnàthachaidh

· Innleadaireachd treòrachaidh: gearradh-X (51°), gearradh-Y (0°), gearradh-Z (36°) airson freagairtean piezoelectric gnàthaichte

· Roghainnean dopaidh: Dopaidh le Mg (strì an aghaidh milleadh optaigeach), dopaidh le Zn (d₃₃ leasaichte)

· Crìochnachaidhean uachdar: snasadh deiseil airson epitaxial (Ra<0.5nm), meatailteachadh ITO/Au

Uaifearan LiTaO₃ - Prìomh Thagraidhean

1. Modalan Aghaidh-deireadh RF

· Criathragan 5G NR SAW (Band n77/n79) le co-èifeachd teòthachd tricead (TCF) <|-15ppm/°C|

· Ath-fhuaimearan BAW ultra-leathann-bann airson WiFi 6E/7 (5.925-7.125GHz)

2. Fotonaigs Amalaichte

· Moduladairean Mach-Zehnder aig astar luath (>100Gbps) airson conaltradh optaigeach co-leanailteach

· Lorgairean infridhearg QWIP le tonnan-gaoithe gearraidh a ghabhas atharrachadh bho 3-14μm

3. Leictreonaic Chàraichean

· Braitearan pàircidh ultrasonach le tricead obrachaidh >200kHz

· Transducers piezoelectric TPMS a mhaireas cearcall teirmeach bho -40°C gu 125°C

4. Siostaman Dìon

· Criathragan glacadair EW le diùltadh taobh a-muigh a’ chòmhlain >60dB

· Uinneagan IR neach-sireadh urchraichean a’ sgaoileadh rèididheachd MWIR 3-5μm

5. Teicneòlasan a tha a’ tighinn am bàrr

· Transducers cuantamach opto-mheacanaigeach airson tionndadh meanbh-thonn gu optaigeach

· Sreathan PMUT airson ìomhaighean ultrasound meidigeach (rùn >20MHz)

Uafairean LiTaO₃ - Seirbheisean XKH

1. Riaghladh Slabhraidh Solarachaidh

· Giullachd Boule-to-wafer le ùine luaidhe 4 seachdainean airson sònrachaidhean àbhaisteach

· Riochdachadh a tha air a leasachadh a thaobh cosgais a’ lìbhrigeadh buannachd prìsean 10-15% an taca ri farpaisich

2. Fuasglaidhean Gnàthaichte

· Criathradh-sgaoilidh sònraichte don treòrachadh: gearradh-Y 36°±0.5° airson coileanadh SAW as fheàrr

· Co-dhèanamhan air an dopadh: MgO (5mol%) dopadh airson tagraidhean optaigeach

Seirbheisean meatailteachaidh: pàtranadh electrode Cr/Au (100/1000Å)

3. Taic Theicnigeach

· Comharrachadh stuthan: lùban crathaidh XRD (FWHM<0.01°), mion-sgrùdadh uachdar AFM

· Samhlachadh innealan: Modaladh FEM airson leasachadh dealbhaidh sìoltachain SAW

Co-dhùnadh

Tha uaifearan LiTaO₃ a’ leantainn air adhart a’ comasachadh adhartasan teicneòlais thar conaltradh RF, fotonaigs amalaichte, agus mothachairean àrainneachd chruaidh. Bidh eòlas stuthan, mionaideachd saothrachaidh, agus taic innleadaireachd tagraidh XKH a’ cuideachadh luchd-ceannach gus faighinn thairis air dùbhlain dealbhaidh ann an siostaman dealanach an ath ghinealaich.