Air an 26mh, dh’ainmich Power Cube Semi leasachadh soirbheachail air a’ chiad semiconductor MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) ann an Korea a Deas.
An coimeas ris na semiconductors stèidhichte air Si (Silicon), faodaidh SiC (Silicon Carbide) bholtaids nas àirde a sheasamh, agus mar sin a bhith air ainmeachadh mar inneal an ath ghinealach a bhios a’ stiùireadh àm ri teachd semiconductors cumhachd.Tha e na phàirt dheatamach a tha riatanach airson teicneòlasan ùr-nodha a thoirt a-steach, leithid iomadachadh charbadan dealain agus leudachadh ionadan dàta air an stiùireadh le inntleachd fuadain.
Tha Power Cube Semi na chompanaidh gun samhail a bhios a’ leasachadh innealan semiconductor cumhachd ann an trì prìomh roinnean: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), agus Ga2O3 (Gallium Oxide).O chionn ghoirid, chuir a’ chompanaidh an sàs agus reic Schottky Barrier Diodes (SBDs) àrd-comas gu companaidh carbaid dealain cruinne ann an Sìona, a’ faighinn aithne airson an dealbhadh is an teicneòlas leth-chonnsair aca.
Tha e sònraichte gun deach an 2300V SiC MOSFET a leigeil ma sgaoil mar a’ chiad chùis leasachaidh den leithid ann an Korea a Deas.Dh’ ainmich Infineon, companaidh semiconductor cumhachd cruinne stèidhichte sa Ghearmailt, cuideachd gun deach an toradh 2000V aca a chuir air bhog sa Mhàrt, ach às aonais loidhne toraidh 2300V.
Bidh 2000V CoolSiC MOSFET aig Infineon, a’ cleachdadh a’ phacaid TO-247PLUS-4-HCC, a’ coinneachadh ris an iarrtas airson barrachd dùmhlachd cumhachd am measg luchd-dealbhaidh, a’ dèanamh cinnteach à earbsachd an t-siostaim eadhon fo chumhachan teann àrd-bholtaids agus atharrachadh tricead.
Tha an CoolSiC MOSFET a’ tabhann bholtadh ceangail sruth dhìreach nas àirde, a’ comasachadh àrdachadh cumhachd gun a bhith ag àrdachadh sruth.Is e seo a’ chiad inneal carbide sileaconach air leth air a’ mhargaidh le bholtaids briseadh sìos de 2000V, a’ cleachdadh a’ phacaid TO-247PLUS-4-HCC le astar èalaidh de 14mm agus fuadach de 5.4mm.Tha call tionndaidh ìosal anns na h-innealan sin agus tha iad freagarrach airson tagraidhean leithid inverters sreang grèine, siostaman stòraidh lùtha, agus cosgais charbadan dealain.
Tha an t-sreath toraidh CoolSiC MOSFET 2000V freagarrach airson siostaman bus DC àrd-bholtaid suas gu 1500V DC.An coimeas ris an 1700V SiC MOSFET, tha an inneal seo a’ toirt seachad iomall overvoltage gu leòr airson siostaman 1500V DC.Tha an CoolSiC MOSFET a’ tabhann bholtadh stairsnich 4.5V agus a ’tighinn uidheamaichte le diodes bodhaig làidir airson siubhal cruaidh.Le teicneòlas ceangail .XT, tha na co-phàirtean sin a 'tairgse coileanadh teirmeach sàr-mhath agus neart làidir taiseachd.
A bharrachd air an 2000V CoolSiC MOSFET, bidh Infineon a’ cur air bhog diodes CoolSiC co-phàirteach a dh’ aithghearr ann am pasganan TO-247PLUS 4-pin agus TO-247-2 anns an treas ràithe de 2024 agus sa chairteal mu dheireadh de 2024, fa leth.Tha na diodes sin gu sònraichte freagarrach airson tagraidhean grèine.Tha measgachadh toraidh draibhear geata co-fhreagarrach rim faighinn cuideachd.
Tha an t-sreath toraidh CoolSiC MOSFET 2000V a-nis ri fhaighinn air a’ mhargaidh.A bharrachd air an sin, tha Infineon a’ tabhann bùird measaidh iomchaidh: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Faodaidh luchd-leasachaidh am bòrd seo a chleachdadh mar àrd-ùrlar deuchainn coitcheann mionaideach gus measadh a dhèanamh air a h-uile CoolSiC MOSFETs agus diodes air an rangachadh aig 2000V, a bharrachd air an draibhear geata aonaranachd aon-seanail dlùth EiceDRIVER sreath toraidh 1ED31xx tro obrachadh PWM dùbailte no leantainneach.
Thuirt Gung Shin-soo, Prìomh Oifigear Teicneòlais aig Power Cube Semi, “Bha e comasach dhuinn ar n-eòlas a leudachadh ann an leasachadh agus mòr-chinneasachadh 1700V SiC MOSFETs gu 2300V.
Ùine puist: Giblean-08-2024