Tha wafers SiC nan semiconductors air an dèanamh le silicon carbide.Chaidh an stuth seo a leasachadh ann an 1893 agus tha e air leth freagarrach airson grunn thagraidhean.Gu sònraichte freagarrach airson diodes Schottky, cnap-starra snaim Schottky diodes, suidsichean agus transistors buaidh achaidh meatailt-ocsaid-leth-sheòrsach.Air sgàth a chruas àrd, tha e na dheagh roghainn airson co-phàirtean dealanach cumhachd.
An-dràsta, tha dà phrìomh sheòrsa de wafers SiC ann.Is e wafer snasta a th’ anns a’ chiad fhear, a tha na aon wafer carbide silicon.Tha e air a dhèanamh de chriostalan SiC fìor-ghlan agus faodaidh e a bhith 100mm no 150mm ann an trast-thomhas.Tha e air a chleachdadh ann an innealan dealanach àrd-chumhachd.Is e an dàrna seòrsa wafer carbide silicon criostail epitaxial.Tha an seòrsa wafer seo air a dhèanamh le bhith a’ cur aon shreath de chriostalan carbide silicon ris an uachdar.Feumaidh an dòigh seo smachd mionaideach air tiugh an stuth agus canar epitaxy seòrsa N ris.
Is e an ath sheòrsa beta silicon carbide.Tha Beta SiC air a thoirt a-mach aig teòthachd os cionn 1700 ceum Celsius.Is e alpha carbides an fheadhainn as cumanta agus tha structar criostail sia-thaobhach aca coltach ri wurtzite.Tha am foirm beta coltach ri daoimean agus tha e air a chleachdadh ann an cuid de thagraidhean.Bha e a-riamh air a bhith na chiad roghainn airson toraidhean leth-chrìochnaichte cumhachd carbaid dealain.Tha grunn sholaraichean wafer carbide silicon treas-phàrtaidh ag obair air an stuth ùr seo an-dràsta.
Tha fèill mhòr air wafers ZMSH SiC stuthan semiconductor.Is e stuth semiconductor àrd-inbhe a th ’ann a tha gu math freagarrach airson mòran thagraidhean.Tha wafers carbide silicon ZMSH nan stuth glè fheumail airson grunn innealan dealanach.Bidh ZMSH a’ solarachadh raon farsaing de wafers SiC de chàileachd àrd agus fo-stratan.Tha iad rim faighinn ann an riochdan seòrsa N agus leth-inslithe.
2--- Silicon Carbide: A dh’ ionnsaigh àm ùr de wafers
Feartan corporra agus feartan silicon carbide
Tha structar criostal sònraichte aig silicon carbide, a’ cleachdadh structar dlùth sia-thaobhach coltach ri daoimean.Tha an structar seo a 'toirt comas do silicon carbide giùlan teirmeach sàr-mhath agus strì àrd teòthachd.An coimeas ri stuthan silicon traidiseanta, tha leud beàrn còmhlan nas motha aig carbide silicon, a bheir seachad farsaingeachd còmhlan dealanach nas àirde, a’ leantainn gu gluasad dealain nas àirde agus sruth aoidionachd nas ìsle.A bharrachd air an sin, tha astar gluasad sùghaidh dealanach nas àirde aig silicon carbide cuideachd agus resistivity nas ìsle den stuth fhèin, a ’toirt seachad coileanadh nas fheàrr airson tagraidhean cumhachd àrd.
Cùisean tagraidh agus dùilean de wafers silicon carbide
Iarrtasan airson cumhachd electronics
Tha sealladh farsaing aig wafer silicon carbide ann an raon electronics cumhachd.Air sgàth an gluasad àrd dealanach agus an giùlan teirmeach sàr-mhath, faodar wafers SIC a chleachdadh gus innealan tionndaidh dùmhlachd àrd-chumhachd a dhèanamh, leithid modalan cumhachd airson carbadan dealain agus inverters grèine.Tha seasmhachd teòthachd àrd wafers silicon carbide a’ toirt comas dha na h-innealan sin obrachadh ann an àrainneachdan teòthachd àrd, a ’toirt seachad barrachd èifeachdais agus earbsachd.
Iarrtasan optoelectronic
Ann an raon innealan optoelectronic, tha wafers carbide silicon a ’nochdadh na buannachdan sònraichte aca.Tha feartan beàrn bann farsaing aig stuth silicon carbide, a leigeas leis lùth photonon àrd agus call solais ìosal a choileanadh ann an innealan optoelectronic.Faodar wafers silicon carbide a chleachdadh gus innealan conaltraidh àrd-astar, photodetectors agus lasers ullachadh.Tha an giùlan teirmeach sàr-mhath agus an dùmhlachd lochdan criostail ìosal ga dhèanamh air leth freagarrach airson a bhith ag ullachadh innealan optoelectronic àrd-inbhe.
Ro-shealladh
Leis an iarrtas a tha a’ sìor fhàs airson innealan dealanach àrd-choileanaidh, tha àm ri teachd gealltanach aig wafers carbide silicon mar stuth le feartan sàr-mhath agus comas tagraidh farsaing.Le leasachadh leantainneach air teicneòlas ullachaidh agus lughdachadh cosgais, thèid cleachdadh malairteach wafers silicon carbide a bhrosnachadh.Thathas an dùil, anns na beagan bhliadhnaichean ri teachd, gum bi wafers silicon carbide a ’dol a-steach don mhargaidh mean air mhean agus gu bhith mar an roghainn prìomh-shruthach airson tagraidhean àrd-chumhachd, tricead àrd agus teòthachd àrd.
3--- Mion-sgrùdadh air gluasadan margaidh wafer SiC agus teicneòlas
Mion-sgrùdadh air draibhearan margaidh wafer silicon carbide (SiC).
Tha grunn phrìomh nithean a’ toirt buaidh air fàs margaidh wafer silicon carbide (SiC), agus tha sgrùdadh domhainn air buaidh nam factaran sin air a’ mhargaidh deatamach.Seo cuid de na prìomh stiùirean margaidh:
Sàbhaladh lùtha agus dìon na h-àrainneachd: Tha feartan àrd-choileanadh agus caitheamh cumhachd ìosal de stuthan silicon carbide ga dhèanamh mòr-chòrdte ann an raon sàbhalaidh lùtha agus dìon na h-àrainneachd.Tha an t-iarrtas airson carbadan dealain, inverters grèine agus innealan tionndaidh lùtha eile a ’stiùireadh fàs margaidh wafers silicon carbide leis gu bheil e a’ cuideachadh le bhith a ’lughdachadh sgudal lùtha.
Iarrtasan Power Electronics: Tha silicon carbide air leth math ann an tagraidhean dealanach cumhachd agus faodar a chleachdadh ann an electronics cumhachd fo chuideam àrd agus àrainneachdan teòthachd àrd.Le fàs mòr air lùth ath-nuadhachail agus adhartachadh gluasad cumhachd dealain, tha an t-iarrtas airson wafers silicon carbide anns a’ mhargaidh cumhachd dealanach a ’sìor dhol am meud.
SiC wafers gluasad leasachadh teicneòlas saothrachaidh san àm ri teachd mion-sgrùdadh mionaideach
Mòr-chinneasachadh agus lughdachadh cosgais: Bidh saothrachadh wafer SiC san àm ri teachd a’ cuimseachadh barrachd air cinneasachadh mòr agus lughdachadh chosgaisean.Tha seo a’ toirt a-steach dòighean fàis nas fheàrr leithid tasgadh bhalbhaichean ceimigeach (CVD) agus tasgadh bhalbhaichean corporra (PVD) gus cinneasachd àrdachadh agus cosgaisean cinneasachaidh a lughdachadh.A bharrachd air an sin, thathar an dùil gun leasaich gabhail ri pròiseasan toraidh tùrail agus fèin-ghluasadach tuilleadh èifeachdas.
Meud agus structar wafer ùr: Faodaidh meud agus structar wafers SiC atharrachadh san àm ri teachd gus coinneachadh ri feumalachdan diofar thagraidhean.Dh’ fhaodadh seo a bhith a’ toirt a-steach wafers le trast-thomhas nas motha, structaran ioma-ghnèitheach, no wafers ioma-fhilleadh gus barrachd sùbailteachd dealbhaidh agus roghainnean coileanaidh a thoirt seachad.
Èifeachdas Cumhachd agus Saothrachadh Uaine: Cuiridh saothrachadh wafers SiC san àm ri teachd barrachd cuideam air èifeachdas lùtha agus saothrachadh uaine.Bidh factaraidhean le cumhachd ath-nuadhachail, stuthan uaine, ath-chuairteachadh sgudail agus pròiseasan cinneasachaidh gualain ìosal gu bhith nan gluasadan ann an saothrachadh.
Ùine puist: Faoilleach 19-2024