Bathar
-
seòrsa p 4H / 6H-P 3C-N TIP SIC substrate 4inch 〈111 〉 ± 0.5 ° Zero MPD
-
Substrate SiC P-seòrsa 4H / 6H-P 3C-N 4inch withe tiugh de 350um ìre cinneasachaidh ìre Dummy
-
4H/6H-P 6inch SiC wafer Zero ìre MPD Ìre Riochdachaidh Ìre Dummy
-
Wafer SiC seòrsa P 4H / 6H-P 3C-N 6inch tiugh 350 μm le prìomh stiùireadh còmhnard
-
Gàirdean ceirmeag alumina àbhaisteach gàirdean robotach Ceramic
-
Tiùb sapphire KY Modh uile follaiseach Customizable
-
Al2O3 99.999% lann àbhaisteach sapphire follaiseach an aghaidh caitheamh 38 × 4.5 × 0.3mmt
-
Faodar tar-chuir fuilt lann sapphire a ghnàthachadh airson adhbharan meidigeach
-
Lilac YAG stuth amh pùdar purpaidh ann an stoc
-
Pròiseas TVG air sapphire quartz BF33 wafer Glass wafer punching
-
Singilte Crystal Silicon Wafer Si Substrate Seòrsa N/P Wafer Silicon Carbide Roghainneil
-
Fo-stratan coimeasach N-Type SiC Dia6inch monocrystaline àrd-inbhe agus substrate càileachd ìosal