English

Plàta treidhe ceirmeag SiC grafait le còmhdach CVD SiC airson uidheamachd

Plàta treidhe ceirmeag SiC grafait le còmhdach CVD SiC airson uidheamachd Ìomhaigh Sònraichte
  • Plàta treidhe ceirmeag SiC grafait le còmhdach CVD SiC airson uidheamachd
  • Plàta treidhe ceirmeag SiC grafait le còmhdach CVD SiC airson uidheamachd

Tuairisgeul Goirid:

Bidh Shanghai Xinkehui New Materials Co., Ltd. a’ dèanamh diosc gràbhalaidh leth-chonnsachaidh Φ380mm–Φ600mm, diosc giùlain wafer, treidhe silicon carbide, treidhe SIC, treidhe silicon carbide, treidhe gràbhalaidh ICP, treidhe gràbhalaidh, purrachd silicon carbide > 99.9%, tha beatha seirbheis treidhe SIC ceithir uiread nas fhaide na treidhe CVD stèidhichte air grafait, cleachdadh fad-ùine gun deformachadh, A’ seasamh an aghaidh searbhag FH, creimeadh H2So4 dùmhail.


Mion-fhiosrachadh Toraidh

Tagaichean Bathar

Chan ann a-mhàin aig ìre tasgadh film tana, leithid epitaxy no MOCVD, no ann am giullachd wafer a thathas a’ cleachdadh ceirmeag silicon carbide, agus aig cridhe seo bidh treallaich giùlain wafer airson MOCVD air an cur fo àrainneachd an tasgadh an toiseach, agus mar sin tha iad gu math an aghaidh teas is creimeadh. Tha giùlan teirmeach àrd agus feartan cuairteachaidh teirmeach sàr-mhath aig giùlan còmhdaichte le SiC cuideachd.

Luchd-giùlain uabhar Silicon Carbide Tasgadh Ceimigeach Fìor-ghlan (CVD SiC) airson giullachd Tasgadh Ceimigeach Organach Meatailt (MOCVD) aig teòthachd àrd.

Tha giùlanan uaifearan CVD SiC fìor-ghlan gu math nas fheàrr na na giùlanan uaifearan àbhaisteach a thathas a’ cleachdadh sa phròiseas seo, a tha air an dèanamh le grafait agus còmhdaichte le sreath de CVD SiC. Chan urrainn dha na giùlanan còmhdaichte stèidhichte air grafait seo seasamh an aghaidh na teòthachd àrda (1100 gu 1200 ceum Celsius) a tha a dhìth airson tasgadh GaN de LED gorm is geal àrd-shoilleireachd an latha an-diugh. Bidh na teòthachdan àrda ag adhbhrachadh gum bi tuill bheaga biorach anns a’ chòmhdach tro am bi ceimigean a’ phròiseis a’ bleith a’ ghrafait fodha. Bidh na mìrean grafait an uairsin a’ rùsgadh dheth agus a’ truailleadh an GaN, ag adhbhrachadh gum feumar an giùlan uaifearan còmhdaichte a chuir na àite.

Tha purrachd de 99.999% no barrachd aig CVD SiC agus tha seoltachd teirmeach àrd agus strì an aghaidh clisgeadh teirmeach aige. Mar sin, faodaidh e seasamh an aghaidh teòthachd àrd agus àrainneachdan cruaidh saothrachaidh LED àrd-shoilleireachd. Tha e na stuth monolithach cruaidh a ruigeas dùmhlachd teòiridheach, a bhios a’ dèanamh glè bheag de ghràinean, agus a tha a’ nochdadh strì an aghaidh creimeadh is bleith glè àrd. Faodaidh an stuth neo-shoilleireachd agus seoltachd atharrachadh gun neo-chunbhalachdan meatailteach a thoirt a-steach. Mar as trice bidh giùlan wafer 17 òirleach ann an trast-thomhas agus faodaidh iad suas ri 40 wafer 2-4 òirleach a chumail.

Diagram Mionaideach

WechatIMG7978
WechatIMG7979
WechatIMG27151
  • Roimhe:
  • Air adhart:
    • Sgrìobh do theachdaireachd an seo agus cuir thugainn i

    Roinnean thoraidhean

    Brùth air enter airson rannsachadh no air ESC airson dùnadh