Fo-strat
-
Faodar tighead Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N seòrsa Dummy / prìomh ìre a ghnàthachadh
-
SiC Ingot 4H-N seòrsa Dummy ìre 2inch 3inch 4inch 6inch tighead: ＞ 10mm
-
Dia wafer HPSI SiC: tighead 3inch: 350um ± 25 µm airson Power Electronics
-
3 òirleach leth-insulation fìor-ghlan （HPSI） wafer SiC 350um Dummy ìre Prìomh ìre
-
Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Àrd cruas an aghaidh creimeadh snasadh prìomh ìre
-
2Inch 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Dùbailte Gluasadach Ìre Mos Prìomh Ìre
-
Wafer Silicon Carbide 2inch 6H-N Seòrsa Prìomh Ìre Rannsachaidh Ìre Dummy Ìre 330μm 430μm Tighead
-
Substrate carbide silicon 2inch 6H-N trast-thomhas snasta dà-thaobh 50.8mm ìre rannsachaidh ìre toraidh
-
seòrsa p 4H / 6H-P 3C-N TIP SIC substrate 4inch 〈111 〉 ± 0.5 ° Zero MPD
-
Substrate SiC P-seòrsa 4H / 6H-P 3C-N 4inch withe tiugh de 350um ìre cinneasachaidh ìre Dummy
-
4H/6H-P 6inch SiC wafer Zero ìre MPD Ìre Riochdachaidh Ìre Dummy
-
Wafer SiC seòrsa P 4H / 6H-P 3C-N 6inch tiugh 350 μm le prìomh stiùireadh còmhnard