Wafers SiC leth-tàmailteach 4inch ìre Prìomh Riochdachaidh substrate HPSI SiC

Wafers SiC leth-tàmailteach 4 òirleach fo-thalamh HPSI SiC ìre prìomh riochdachadh Ìomhaigh sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Tha an truinnsear snasadh dà-thaobhach leth-inslithe leth-ghlan sileaconach 4-òirleach air a chleachdadh sa mhòr-chuid ann an conaltradh 5G agus raointean eile, leis na buannachdan bho bhith a’ leasachadh an raon tricead rèidio, aithneachadh astar ultra-fhada, an-aghaidh casg, astar àrd. , sgaoileadh fiosrachaidh le comas mòr agus tagraidhean eile, agus tha e air fhaicinn mar an t-substrate air leth freagarrach airson innealan cumhachd microwave a dhèanamh.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Sònrachadh Bathar

Tha Silicon carbide (SiC) na stuth semiconductor toinnte air a dhèanamh suas de na h-eileamaidean gualain agus silicon, agus tha e mar aon de na stuthan air leth freagarrach airson innealan àrd-teòthachd, tricead àrd, àrd-chumhachd agus bholtadh àrd a dhèanamh.An coimeas ris an stuth sileacain traidiseanta (Si), tha leud bann toirmisgte silicon carbide trì tursan nas àirde na sileaconach;tha an giùlan teirmeach 4-5 tursan nas àirde na sileaconach;tha an bholtadh briseadh sìos 8-10 tursan nas àirde na sileaconach;agus tha an ìre gluasad sùghaidh dealanach 2-3 tursan nas àirde na sileaconach, a choinnicheas ri feumalachdan gnìomhachas an latha an-diugh airson àrd-chumhachd, àrd-bholtaids, agus tricead àrd, agus tha e air a chleachdadh sa mhòr-chuid airson a bhith a’ dèanamh àrd-astar, àrd-. Tha tricead, àrd-chumhachd agus co-phàirtean dealanach a tha a’ sgaoileadh solais, agus na raointean tagraidh sìos an abhainn a’ toirt a-steach cliath snasail, Carbadan lùtha ùra, cumhachd gaoithe photovoltaic, conaltradh 5G, msaa. air a chur an sàs gu malairteach.

Buannachdan wafers SiC / substrate SiC

Frith-aghaidh teòthachd àrd.Tha leud bann toirmisgte silicon carbide 2-3 tursan nas àirde na sileaconach, agus mar sin chan eil dealanan cho dualtach leum aig teòthachd àrd agus is urrainn dhaibh seasamh ri teòthachd obrachaidh nas àirde, agus tha giùlan teirmeach carbide silicon 4-5 uair nas àirde na sileaconach, a’ dèanamh tha e nas fhasa teas a sgaoileadh bhon inneal agus leigeil le teòthachd obrachaidh cuibhrichte nas àirde.Faodaidh na feartan àrd-teòthachd àrdachadh mòr a thoirt air an dùmhlachd cumhachd, agus aig an aon àm a 'lùghdachadh na riatanasan airson an t-siostam teasachaidh teas, a' dèanamh a 'chrìoch nas aotrom agus nas lugha.

Frith-aghaidh bholtadh àrd.Tha neart raon brisidh Silicon carbide 10 tursan nas àirde na sileaconach, ga dhèanamh comasach seasamh ri bholtaids nas àirde, ga dhèanamh nas freagarraiche airson innealan bholtachd àrd.

Frith-aghaidh àrd-tricead.Tha dà uair aig ìre gluasad sileaconach saturation aig silicon carbide, agus mar thoradh air sin chan eil na h-innealan aige anns a’ phròiseas dùnadh ann anns an iongantas slaodadh gnàthach, is urrainn dhaibh tricead atharrachadh inneal adhartachadh gu h-èifeachdach, gus miniaturization inneal a choileanadh.

Call lùth ìosal.Tha seasmhachd glè ìosal aig silicon carbide an taca ri stuthan silicon, call giùlain ìosal;aig an aon àm, tha an leud-bann àrd de silicon carbide gu mòr a’ lughdachadh an t-sruth aoidionachd, call cumhachd;A bharrachd air an sin, chan eil innealan carbide silicon anns a ’phròiseas dùnadh ann anns an iongantas slaodadh gnàthach, call suidse ìosal.