Wafer substrate SiC 4H-N 4 òirleach Ìre Rannsachaidh Dummy Riochdachadh Silicon Carbide

Wafer substrate SiC 4H-N 4 òirleach Silicon Carbide Riochdachadh Dummy Ìre rannsachaidh Ìomhaigh Sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Is e stuth àrd-choileanadh a th’ ann an wafer substrate criostail singilte carbide silicon 4-òirleach le feartan corporra is ceimigeach air leth. Tha e air a dhèanamh de stuth criostail singilte carbide silicon àrd-ghlan le giùlan teirmeach sàr-mhath, seasmhachd meacanaigeach agus strì an aghaidh teòthachd àrd. Taing don phròiseas ullachaidh àrd-chruinneas aige agus stuthan àrd-inbhe, is e a ’chip seo aon de na stuthan as fheàrr leotha airson a bhith ag ullachadh innealan dealanach àrd-choileanadh ann an iomadh raon.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Iarrtasan

Tha àite cudromach aig wafers substrate criostail singilte 4-òirleach silicon carbide ann an iomadh raon. An toiseach, tha e air a chleachdadh gu farsaing ann an gnìomhachas semiconductor ann a bhith ag ullachadh innealan dealanach àrd-chumhachd leithid transistors cumhachd, cuairtean amalaichte agus modalan cumhachd. Tha an giùlan teirmeach àrd aige agus an aghaidh teòthachd àrd a’ toirt cothrom dha teas a sgaoileadh nas fheàrr agus barrachd èifeachdas obrach agus earbsachd a thoirt seachad. San dàrna h-àite, thathas cuideachd a’ cleachdadh wafers silicon carbide anns an raon rannsachaidh gus rannsachadh a dhèanamh air stuthan agus innealan ùra. A bharrachd air an sin, thathas cuideachd a’ cleachdadh wafers silicon carbide gu farsaing ann an optoelectronics, leithid cinneasachadh LEDs agus diodes laser.

Sònrachaidhean wafer SiC 4inch

Trast-thomhas wafer substrate criostal singilte 4-òirleach silicon carbide de 4 òirleach (timcheall air 101.6mm), crìoch uachdar suas gu Ra <0.5 nm, tiugh de 600 ± 25 μm. Is e giùlan an wafer seòrsa N no seòrsa P agus faodar a ghnàthachadh a rèir feumalachdan teachdaiche. A bharrachd air an sin, tha seasmhachd meacanaigeach sàr-mhath aig a ’chip cuideachd, is urrainn dha seasamh ri ìre sònraichte de chuideam agus crith.

Is e stuth àrd-choileanaidh a th’ ann an wafer substrate criostal singilte òirleach silicon carbide a thathas a’ cleachdadh gu farsaing ann an raointean semiconductor, rannsachadh agus optoelectronics. Tha giùlan teirmeach sàr-mhath aige, seasmhachd meacanaigeach agus strì an aghaidh teòthachd àrd, a tha freagarrach airson innealan dealanach àrd-chumhachd ullachadh agus sgrùdadh stuthan ùra. Bidh sinn a’ tabhann measgachadh de shònrachaidhean agus roghainnean gnàthachaidh gus coinneachadh ri diofar fheumalachdan teachdaiche. Feuch an toir thu aire don làrach neo-eisimeileach againn gus barrachd ionnsachadh mun fhiosrachadh toraidh de wafers silicon carbide.

Prìomh obraichean: wafers silicon carbide, wafers substrate criostail singilte silicon carbide, 4 òirleach, seoltachd teirmeach, seasmhachd meacanaigeach, strì an aghaidh teòthachd àrd, transistors cumhachd, cuairtean amalaichte, modalan cumhachd, solais, diodes laser, crìochnachadh uachdar, seoltachd, roghainnean gnàthaichte