Wafers SiC Silicon Carbide 6inch 150mm Seòrsa 4H-N airson Rannsachadh Riochdachaidh MOS no SBD agus ìre Dummy

Wafers SiC Silicon Carbide 6inch 150mm Seòrsa 4H-N airson Rannsachadh Riochdachaidh MOS no SBD agus Ìomhaigh Sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Tha an t-substrate criostal singilte 6-òirleach silicon carbide na stuth àrd-choileanadh le feartan corporra is ceimigeach sàr-mhath.Air a dhèanamh bho stuth criostail singilte carbide silicon àrd-ghlan, tha e a ’nochdadh giùlan teirmeach nas fheàrr, seasmhachd meacanaigeach, agus strì an aghaidh teòthachd àrd.Tha an t-substrate seo, air a dhèanamh le pròiseasan saothrachaidh mionaideach agus stuthan àrd-inbhe, air a thighinn gu bhith mar an stuth as fheàrr leotha airson a bhith a’ dèanamh innealan dealanach àrd-èifeachdais ann an grunn raointean.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Raointean Iarrtais

Tha àite deatamach aig an t-substrate criostail singilte carbide 6-òirleach ann an grunn ghnìomhachasan.An toiseach, tha e air a chleachdadh gu bitheanta anns a 'ghnìomhachas semiconductor airson a bhith a' dèanamh àrd-chumhachd innealan dealanach leithid cumhachd transistors, amalaichte chuairtean, agus cumhachd modalan.Tha an giùlan teirmeach àrd agus an aghaidh àrd-teodhachd a 'comasachadh sgaoileadh teas nas fheàrr, a' ciallachadh gu bheil èifeachdas agus earbsachd nas fheàrr.San dàrna h-àite, tha wafers silicon carbide riatanach ann an raointean rannsachaidh airson leasachadh stuthan agus innealan ùra.A bharrachd air an sin, bidh an wafer silicon carbide a’ lorg thagraidhean farsaing ann an raon optoelectronics, a ’toirt a-steach saothrachadh LEDs agus diodes laser.

Sònrachaidhean Bathar

Tha trast-thomhas de 6 òirleach (timcheall air 152.4 mm) aig an fho-strat criostal singilte 6-òirleach silicon carbide.Is e garbh an uachdar Ra <0.5 nm, agus is e an tiugh 600 ± 25 μm.Faodar an t-substrate a ghnàthachadh le giùlan seòrsa N no seòrsa P, stèidhichte air riatanasan teachdaiche.A bharrachd air an sin, tha e a ’nochdadh seasmhachd meacanaigeach air leth, comasach air seasamh ri cuideam agus crith.

Trast-thomhas		150 ± 2.0mm（6inch）
Tigheadas		350 μm±25μm
Treòrachadh		Air axis: <0001> ±0.5°		Far an axis: 4.0 ° gu 1120 ± 0.5 °
Polytype		4H
Resistivity (Ω·cm)	4H- N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Prìomh stiùireadh còmhnard		{10-10}±5.0°
Prìomh fhad còmhnard (mm)		47.5 mm±2.5 mm
Oir		Chamfer
TTV/Bow/Warp (um)		≤15/≤40/≤60
Aghaidh AFM (Si-face)		Pòlainnis Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TBh		≤5m	≤10m		≤15m
Peel orains / slocan / sgàinidhean / truailleadh / stains / strì		Chan eil gin	Chan eil gin		Chan eil gin
indents		Chan eil gin	Chan eil gin		Chan eil gin

Tha an t-substrate criostail singilte carbide silicon 6-òirleach na stuth àrd-choileanaidh air a chleachdadh gu farsaing anns na gnìomhachasan semiconductor, rannsachadh, andoptoelectronics.Tha e a’ tabhann giùlan teirmeach sàr-mhath, seasmhachd meacanaigeach, agus strì an aghaidh àrd-teòthachd, ga dhèanamh freagarrach airson innealan dealanach àrd-chumhachd a dhèanamh agus sgrùdadh stuthan ùra.Bidh sinn a’ toirt seachad diofar shònrachaidhean agus roghainnean gnàthachaidh gus coinneachadh ri diofar iarrtasan teachdaiche.Cuir fios thugainn airson tuilleadh fiosrachaidh mu wafers silicon carbide!