Wafer substrate SiC 4H-N 4 òirleach Ìre Rannsachaidh Dummy Riochdachadh Silicon Carbide

Wafer substrate SiC 4H-N 4 òirleach Silicon Carbide Riochdachadh Dummy Ìre rannsachaidh Ìomhaigh Sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Is e stuth àrd-choileanadh a th’ ann an wafer substrate criostail singilte carbide silicon 4-òirleach le feartan corporra is ceimigeach air leth.Tha e air a dhèanamh de stuth criostail singilte carbide silicon àrd-ghlan le giùlan teirmeach sàr-mhath, seasmhachd meacanaigeach agus strì an aghaidh teòthachd àrd.Taing don phròiseas ullachaidh àrd-chruinneas aige agus stuthan àrd-inbhe, is e a ’chip seo aon de na stuthan as fheàrr leotha airson a bhith ag ullachadh innealan dealanach àrd-choileanadh ann an iomadh raon.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Iarrtasan

Tha àite cudromach aig wafers substrate criostail singilte 4-òirleach silicon carbide ann an iomadh raon.An toiseach, tha e air a chleachdadh gu farsaing ann an gnìomhachas semiconductor ann a bhith ag ullachadh innealan dealanach àrd-chumhachd leithid transistors cumhachd, cuairtean amalaichte agus modalan cumhachd.Tha an giùlan teirmeach àrd aige agus an aghaidh teòthachd àrd a’ toirt cothrom dha teas a sgaoileadh nas fheàrr agus barrachd èifeachdas obrach agus earbsachd a thoirt seachad.San dàrna h-àite, thathas cuideachd a’ cleachdadh wafers silicon carbide anns an raon rannsachaidh gus rannsachadh a dhèanamh air stuthan agus innealan ùra.A bharrachd air an sin, thathas cuideachd a’ cleachdadh wafers silicon carbide gu farsaing ann an optoelectronics, leithid cinneasachadh LEDs agus diodes laser.

Sònrachaidhean wafer SiC 4inch

Trast-thomhas wafer substrate criostal singilte 4-òirleach silicon carbide de 4 òirleach (timcheall air 101.6mm), crìoch uachdar suas gu Ra <0.5 nm, tiugh de 600 ± 25 μm.Is e giùlan an wafer seòrsa N no seòrsa P agus faodar a ghnàthachadh a rèir feumalachdan teachdaiche.A bharrachd air an sin, tha seasmhachd meacanaigeach sàr-mhath aig a ’chip cuideachd, is urrainn dha seasamh ri ìre sònraichte de chuideam agus crith.

Is e stuth àrd-choileanaidh a th’ ann an wafer substrate criostal singilte òirleach silicon carbide a thathas a’ cleachdadh gu farsaing ann an raointean semiconductor, rannsachadh agus optoelectronics.Tha giùlan teirmeach sàr-mhath aige, seasmhachd meacanaigeach agus strì an aghaidh teòthachd àrd, a tha freagarrach airson innealan dealanach àrd-chumhachd ullachadh agus sgrùdadh stuthan ùra.Bidh sinn a’ tabhann measgachadh de shònrachaidhean agus roghainnean gnàthachaidh gus coinneachadh ri diofar fheumalachdan teachdaiche.Feuch an toir thu aire don làrach neo-eisimeileach againn gus barrachd ionnsachadh mu fhiosrachadh toraidh wafers silicon carbide.

Prìomh obraichean: wafers silicon carbide, wafers substrate criostail singilte silicon carbide, 4 òirleach, seoltachd teirmeach, seasmhachd meacanaigeach, strì an aghaidh teòthachd àrd, transistors cumhachd, cuairtean amalaichte, modalan cumhachd, solais, diodes laser, crìochnachadh uachdar, seoltachd, roghainnean gnàthaichte