Film tana SiO2 Thermal Oxide Silicon Wafer 4inch 6inch 8inch 12inch

Mar as trice bidh am prìomh phròiseas de bhith a ’dèanamh wafers silicon oxidized a’ toirt a-steach na ceumannan a leanas: fàs silicon monocrystalline, gearradh a-steach do wafers, snasadh, glanadh agus oxidation.

Fàs silicon monocrystalline: An toiseach, bithear a’ fàs silicon monocrystalline aig teòthachd àrd le dòighean leithid modh Czochralski no modh Float-zone.Tha an dòigh seo a’ comasachadh criostalan singilte sileaconach ullachadh le fìor ghlanachd agus ionracas lann.

Dicing: Tha an sileacon monocrystalline fàs mar as trice ann an cumadh siolandair agus feumar a ghearradh ann an wafers tana airson a chleachdadh mar substrate wafer.Mar as trice bidh gearradh air a dhèanamh le gearradh daoimean.

Snasadh: Faodaidh uachdar an wafer gearraidh a bhith neo-chòmhnard agus feumar snasadh ceimigeach-meacanaigeach gus uachdar rèidh fhaighinn.

Glanadh: Tha an wafer snasta air a ghlanadh gus truailleadh agus duslach a thoirt air falbh.

Oxidizing: Mu dheireadh, tha na wafers silicon air an cur a-steach do fhùirneis àrd-teòthachd airson làimhseachadh oxidizing gus còmhdach dìon de sileacon dà-ogsaid a chruthachadh gus na feartan dealain agus an neart meacanaigeach aige a leasachadh, a bharrachd air a bhith nan còmhdach inslithe ann an cuairtean amalaichte.

Tha prìomh chleachdaidhean wafers silicon oxidized a’ toirt a-steach cinneasachadh chuairtean amalaichte, cinneasachadh cheallan grèine, agus cinneasachadh innealan dealanach eile.Tha wafers silicon oxide air an cleachdadh gu farsaing ann an raon stuthan semiconductor air sgàth na feartan meacanaigeach sàr-mhath aca, seasmhachd taobhach agus ceimigeach, comas obrachadh aig teòthachd àrd agus cuideam àrd, a bharrachd air deagh insaladh agus feartan optigeach.

Tha na buannachdan aige a’ toirt a-steach structar criostal iomlan, co-dhèanamh ceimigeach fìor-ghlan, tomhasan mionaideach, deagh fheartan meacanaigeach, msaa.